湖北宜城电厂500千伏送出工程投产

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图5:不同助熔剂组份生长出的Ce:GGAG晶体的脉冲高度谱与标准样品(光产额58, 000pho/MeV)对比示意图,伏送gamma源(137Cs,伏送662keV),测试门宽0.75ms ©RSC四、【成果启示】本文工作表明,移行助剂法是一种可以稳定生长Ce:GGAG晶体的方法。本研究工作得到了中国科学院科研仪器设备研制项目,出工程投产中国科学院战略性先导科技专项和上海市科学技术委员会基金项目等的资助

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